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SK하이닉스, 인텔서 '10나노급 5세대 D램' 데이터센터 호환성 검증
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SK하이닉스는 10나노미터(㎚)급 5세대 D램 기술 개발을 마쳤다고 30일 밝혔다. D램은 SK하이닉스가 세계 무대에서 경쟁력을 인정받은 메모리 반도체의 한 종류다. 10나노는 반도체 회로 선의 폭을 의미하는데 지금까지 나온 기술 중 가장 촘촘하게 회로를 설계한 것이라는 게 회사 측 설명이다.
회사는 10나노급 5세대 D램 기술에 대한 본격 성능 시험에 들어갔다. 해당 기술이 접목된 서버용 DDR5(기술이 적용된 반도체 제품)를 인텔에 제공해 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램' 검증 절차에 돌입했다. 이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 '제온 스케일러블 플랫폼'에서 반도체를 쓸 수 있는지 인증하는 절차다.
이번에 제공된 DDR5 제품은 1초당 6.4기가바이트(GB) 데이터를 전송할 수 있다. 1초에 5GB짜리 풀HD 화질 영화 10편을 처리할 수 있는 속도다. 회사 관계자는 " 초기 DDR5 제품보다 데이터 처리 속도는 33% 빨라졌다"며 "현재 시장에 나온 제품 중 가장 빠르다"고 강조했다. 전력 소모 역시 이전 제품 대비 20% 이상 줄였다. D램에서 흘러나오는 전류를 막는 차세대 공정 'HKMG' 기법을 이용해 데이터 속도는 향상시키면서 전력은 절약할 수 있게 됐다.
김종환 SK하이닉스 D램 개발담당(부사장)은 "올해 1월에는 10나노급 4세대 DDR5 서버용 D램을 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증받았다"며 "이번 5세대 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것"이라고 자신했다. 이어 "하반기부터 메모리 반도체 시장 상황이 나아질 것이라는 전망이 나온다"며 "SK하이닉스는 업계 최고 수준 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적에 힘을 쏟겠다"고 강조했다.
디미트리오스 지아카스(Dimitrios Ziakas) 인텔 부사장은 "SK하이닉스의 5세대 DDR5는 인텔의 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에 쓰일 것"이라며 "업계에서 처음 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증을 거친 것"이라고 설명했다.
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