SK하이닉스가 세계 첫 10나노(nm·10억분의 1m)급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR5) D램을 개발하는 데 성공했다. 회사는 이번 기술 개발로 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가가치 시장에서의 우위를 이어갈 것으로 기대하고 있다.
29일 SK하이닉스는 10나노급 1c DDR5 개발 소식을 발표하며 "올해 안에 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 안내했다. DDR5는 이름처럼 데이터 입출력 통로가 2개인 D램이다. 이전 제품인 싱글데이터레이트(SDR)보다 속도가 빨라 고성능 데이터센터에 쓰인다.
반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙이고 있다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)에 이어 1c는 6세대 기술이다. SK하이닉스는 2021년 7월 극자외선(EUV)을 활용해 1a 기술이 적용된 D램을 본격 양산한 데 이어 2023년 2분기(4~6월)부터 1b 기술이 적용된 제품을 찍어냈다. SK하이닉스의 HBM3E에는 1b가 담긴 것으로 알려졌다.
이번에 개발한 1c D램은 이전 세대인 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발했다. 기존 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고 전체 공정 중 EUV 적용 공정을 최적화했다. 이를 통해 시행착오를 줄이고 1b의 강점을 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 SK하이닉스는 설명했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 끌어올렸다.
6세대 제품은 전작보다 속도와 전력 효율을 크게 개선한 게 특징이다. SK하이닉스의 1c DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대보다 11% 빨라지고 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. SK하이닉스는 "인공지능(AI) 시대가 본격화하면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나고 있다"며 '고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대한다"고 밝혔다.
SK하이닉스는 차세대 HBM에 1c 기술을 적용한다는 계획이다. 김종환 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 D램 시장 리더십을 지키면서 AI 메모리 설루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.